三菱电子通过降低电极间的接触电阻，将多晶硅片电池转换效率提高至19.3％。经日本国家产业技术综合研究所（AIST）证实，此硅片（15厘米×15厘米×200微米）比该公司之前记录的19.1%高出了0.2%。该公司还宣称其超薄多晶硅太阳能电池（15厘米×15厘米×100微米）已达到18.1％的效率，在此前17.4%的基础上又提高了0.7%，并已得到日本国家产业技术综合研究所核实。
三菱为防止损失电阻，在电极形成前对电池片进行处理以改善电极接触性能。该公司表示，这样做与之前的光伏电池相比减少了4％的电阻损耗。
公司在之前19.1％的记录基础上又提高了0.2%，使其在实际测量的硅片电力输出上增加了约1％，从4.16W升至4.2W。
新的结果与之前开发的低反射和蜂窝构造表面处理等技术相结合，其目的是为了降低硅片表面反射 和 因其后表面结构所导致的太阳光能流失。
