在Ge底板上制作的TPV元件。表面研磨之前。
此次开发的TPV元件各波长的外部量子效率。因阶段分表面研磨前（▲）、研磨后（■）及二次研磨后（●），长波长带中的效率值各不相同。
比利时研究机构IMEC宣布，开发出了利用锗（Ge）底板的光电转换元件“Thermophotovoltaic Cell（TPV电池）”，可在大幅降低制造成本的同时，提高转换效率。IMEC认为今后该电池的用途将会不断扩大，其中包括将其安装在锅炉及发动机等热源附近，利用此前被损失的热能量来发电等。
TPV电池是利用半导体的pn结来发电的一种太阳能电池。不过，光吸收层的半导体材料主要使用能带隙仅为0.67eV左右的Ge及GaSb等，因此“能量源”以红外线为主体。由于对可见光几乎没有反应，可安装在一些热源附近，用于将其辐射热转换为电力等用途。
但是，此前的大部分TPV电池通过使Ge在GaAs类底板上外延生长制造而成。因此制造成本非常高，一直未能走上实用化道路。
IMEC此次并未透露新TPV电池的具体制造工艺。不过，该机构称，通过采用Ge底板省去了外延生长，而且在封装中采用了非晶硅，从而大幅降低了制造工艺的成本。另外，还大幅提高了TPV电池的光电转换量子效率。
