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    SEMI邀请产业人士加入中国光伏标准工作组

    访问: 光伏动态 来源:环保信息网 2010-10-26收藏本页 信息来至互联网,仅供参考

      SEMI近日发起最新一轮的的光伏行业全球标准投票,内容涉及产业多个环节的重要技术指标。SEMI作为高科技领域的全球化组织,与会员公司和产业人士一起,共同参与全球光伏行业标准的协调与制定工作。当光伏中国制造已成为我们的骄傲,且光伏市场持续两位数高速增长时,光伏标准就成为了中国乃至全球业界亟待突破与解决的瓶颈。SEMI成立中国光伏标准工作组,鼓励和组织中国太阳能产业公司和产业人士积极参与产业标准的起草和制定,这将大大帮助中国的太阳能厂商降低生产成本,提高产能及产品可靠性,并及时把握产业动向。
      早在1973年,SEMI就开始与会员公司一起制定晶圆尺寸等半导体行业标准,目前已有800多条国际标准在半导体制造、平板显示等多项领域得到普遍运用。而从2007年开始,随着光伏行业的蓬勃发展,SEMI开展推动在光伏领域的标准制定工作。目前已经成立了北美、欧洲、日本、台湾地区在内的技术委员会,接近20个任务小组或工作小组,覆盖了包括硅材料、硅片、晶体电池、晶体组件、薄膜、原材料、测试方法、设备接口等在内的多个领域。

      截止2010年10月18日,SEMI已共计发布了23条光伏行业相关标准,在全球业界得到广泛应用和推崇

      E10-0304E——设备可靠性、可用性和可维护性定义说明
    Specification for Definition and Measurement of Equipment Reliability, Availability, and Maintainability (RAM)

      F47-0706——半导体工艺设备电压暂降预防说明
    Specification for Semiconductor Processing Equipment Voltage Sag Immunity

      F108-0310——用于半导体、平板显示、太阳能电池制造的液体化学试剂管道传送部件指南
    Guide for Integration of Liquid Chemical Piping Components for Semiconductor, Flat Panel Display, and Solar Cell Manufacturing Applications

      M6-1108——用于制造光伏电池的硅晶圆规格说明
    Specification for Silicon Wafers for Use as Photovoltaic Solar Cells

      M44-0305——硅中间隙氧转化因素指南
    Guide to Conversion Factors for Interstitial Oxygen in Silicon

      ME391-0310——利用稳态表面光电压测试方法测量非本征半导体中少数载流子扩散长度的方法
    Test Method for Minority Carrier Diffusion Length in Extrinsic Semiconductors by Measurement of Steady-State Surface Photovotake

      MF1188-1107——利用短基线红外吸收法测量硅中间隙氧含量的方法
    Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption With Short Baseline

      MF1619-1107——利用在布鲁斯特角进行p型极化入射获得红外吸收光谱测量硅晶圆中间隙氧含量的测试方法
    Test Method for Measurement of Interstitial Oxygen Content of Silicon Wafers by Infrared Absorption Spectroscopy with p-Polarized Radiation Incident at the Brewster Angle

      MF1727-0304——检测抛光硅晶圆中因氧化导致缺陷的操作方法
    Practice for Detection of Oxidation Induced Defects in Polished Silicon Wafers

      MF 1809-0704——表征硅中结构性缺陷的刻蚀方案的选择与使用指南
    Guide for Selection and Use of Etching Solutions to Delineate Structural Defects in Silicon 内容来自环球光伏网

      MF 1810-0304——硅中优先刻蚀或缀饰的表面缺陷的计量测试方法
    Test Method for Counting Preferentially Etched or Decorated Surface Defects in Silicon Wafers

      PV1-0709——利用高质量分辨率辉光放电质谱测量光伏级硅中微量元素的方法
    Test Method for Measuring Trace Elements in Photovoltaic-Grade Silicon by High-Mass Resolution Glow Discharge Mass Spectrometry copyright 环球光伏网

      PV2-0709E——光伏设备通信接口指南(PV ECI)
    Guide for PV Equipment Communication Interfaces -Unified communication standard between PV production equipment and the shop floor

      PV3-0310——用于光伏电池处理工艺的高纯水指南
    Guide for High Purity Water Used In Photovoltaic Cell Processing

      PV4-0710——用于光伏应用薄膜第五代衬底尺寸范围的规范
    Specification for range of 5th generation substrate sizes for thin-film Photovoltaic application

      PV5-1110——用于光伏行业的氧气(大宗气体)指南
    Guide for Oxygen (O2), Bulk, Used In Photovoltaic Applications

      PV6-1110——用于光伏行业的氩气(大宗气体)指南
    Guide for Argon (Ar), Bulk, Used In Photovoltaic Applications

      PV7-1110——用于光伏行业的氢气(大宗气体)指南
    Guide for Hydrogen (H2), Bulk, Used In Photovoltaic Applications

      PV8-1110——用于光伏行业的氮气(大宗气体)指南
    Guide for Nitrogen (N2), Bulk, Used In Photovoltaic Applications 环球光伏网,globepv.com

      PV11-1110——用于光伏行业的氢氟酸规格说明
    Specifications for Hydrofluoric Acid, Used In Photovoltaic Applications

      PV12-1110——用于光伏行业的磷酸规格说明
    Specifications for Phosphoric Acid, Used In Photovoltaic Applications

      PV9-1110——利用非接触式的微波反射光电导衰减法测量光伏用硅材料的多余载流子寿命的测量方法
    Test Method for Excess Charge Carrier Lifetime in PV Silicon Materials by Non-Contact Measurements of Photoconductivity Decay By Microwave Reflectance

      PV10-1110——用仪器中子活化分析测量硅材料的方法
    Test Method for Instrumental Neutron Activation Analysis (INAA) Of Silicon


    标签:光伏 光复能 太阳能

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